总线开关是一种对传输数字信号进行优化的半导体开关。总线开关的基本功能与机械开关相同,采用MOSFET来实现开/关功能
总线开关只是一个开关:与缓冲器不同,它不能驱动负载。总线开关专为高速数字信号传输而设计,用于导通和关断信号流或在输出端口之间开关。

东芝不仅提供简易型单刀单掷(SPST)开关,还可提供单刀双掷(SPDT)和单刀四掷(SP4T)多路复用器。

用于打开和关闭电源轨的半导体开关大致分为信号开关和负载开关(负载开关IC)。下面介绍信号开关。
信号开关有两种类型:处理数字信号的开关和处理模拟信号的开关。
负载开关IC
负载开关IC是采用CMOS工艺加工而成的一种电源 IC,其特点是具有内置输出晶体管和输出驱动IC。与传统的分立结构相比,该系统的尺寸大大减小。它还具有低电压运行、低导通电阻特性、低电流消耗等特点,并配有各种附加功能。该封装系列主要针对1平方毫米级的超小型产品。特别是,该封装系列使得产品适用于需要节省空间的便携式设备。

总线开关专门用于传输数字信号。对于数字信号,必须以低延时或无延时的方式传输其逻辑状态(包括电压电平)。相反,模拟开关需要信号线性。换言之,低电容和导通电阻对于总线开关很重要,而模拟开关需要在信号传输的电压范围内很低且恒定的导通电阻。

通常,用于开关应用的p沟道和n沟道MOSFET的导通电阻取决于控制电压以及通过开关的信号的电压,如图2和图3所示。为补偿这种电压依赖性,模拟开关由并联的p沟道和n沟道MOSFET组成,如图4所示。这使其导通电阻在工作电压范围内保持恒定,但开关电容会相应增大。
相反,总线开关仅由一个p沟道MOSFET构成(或N沟道MOSFET)组成,如图 5 所示。虽然其导通电阻也取决于电压,但此电压足够低,故不会干扰数字信号传输。
P沟道MOSFET(SSM3J36TU)RDS(ON) – VGS曲线.pngN沟道MOSFET(SSM3K36TU)RDS(ON) – VGS曲线.png

模拟开关的等效电路.png总线开关等效电路.png

因此,总线开关是高速数字传输的理想之选。如欲传输模拟信号,请使用具有模拟电气特性的模拟开关。

SPST和SPDT是常用来描述开关的缩写。SPST是Single-Pole Single-Throw的缩写,Pole指的是一个开关可以“同时”控制的电路数量。Throw表示可以切换的输出数量。

总线开关的功能名称.png